公司CPU测试内存中的芯片已采用22纳米工艺技术进行制造，这就使得处理器可以拥有更多属性，并可实现能耗更小，而运行速度更快。

这款内存芯片被称为静态存储器（SRAM--static random access memory）单元，是CPU--数据在接受处理之前临时的存储空间--的一部分。

IBM公司的项目经理Mukesh Khare说，减小内存单元是缩减整个微处理器规模的一个步骤。公司希望到2011年CPU制造可实现采用22纳米工艺流程。

Khare说，将芯片缩小之后，IBM可将更多功能赋予这一更小的芯片，比如增加3-D图像功能或动态容量功能、或者将图像芯片嵌入微处理器。

"由于CPU中核数不断增多，因此对嵌入微处理器中内存量的需求也不断的跟着上升。所以确保微处理器中内存量能持续提高是新款芯片的一个基本要求"，Khare说。

一纳米大约等于十亿分之一米。在芯片制造中，这一数据代表了芯片外型的最小属性。

芯片制造商一直在逐渐提高芯片制造技术，其主要目的就是为了节能和提速。英特尔公司是IBM公司某些芯片产品的竞争对手，采用45纳米工艺流程来进行芯片制造，并计划在2011年实现用22纳米工艺流程进行芯片制造。IBM公司方面说其将在今年实现45纳米工艺流程进行制造。

Khare还说，"我们在试图缩减更多代芯片产品的大小。当前还有很大的开发空间。"

对静态存储器单元的研究是由IBM和其合作伙伴--包括AMD公司、Freescale, STMicroelectronics和Toshiba公司--来完成的。一个小制造团队在制造测试静态存储单元芯片。